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DMN6068SE-13  与  BSP295 H6327  区别

型号 DMN6068SE-13 BSP295 H6327
唯样编号 A3-DMN6068SE-13 A-BSP295 H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 小信号MOSFET
描述 N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 3.5mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 68mΩ@12A,10V 220mΩ
上升时间 - 9.9ns
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 17nC
栅极电压Vgs ±20V 20V
正向跨导 - 最小值 - 800mS
封装/外壳 SOT-223 -
工作温度 -55°C~150°C(TJ) -55°C~150°C
连续漏极电流Id 5.6A 1.8A
配置 - Single
长度 - 6.5mm
驱动电压@Rds On(Max),Rds On(Min) 4.5V,10V -
下降时间 - 19ns
高度 - 1.6mm
漏源极电压Vds 60V 60V
Pd-功率耗散(Max) 2W(Ta) 1.8W
典型关闭延迟时间 - 27ns
FET类型 N-Channel N-Channel
通道数量 - 1Channel
系列 - BSP295
不同Id时的Vgs(th)(最大值) 3V @ 250µA -
不同Vds时的输入电容(Ciss)(最大值) 502pF @ 30V -
不同Vgs时的栅极电荷 (Qg)(最大值) 10.3nC @ 10V -
典型接通延迟时间 - 5.4ns
库存与单价
库存 0 0
工厂交货期 56 - 70天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
DMN6068SE-13 Diodes Incorporated  数据手册 功率MOSFET

±20V 2W(Ta) 68mΩ@12A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 5.6A

暂无价格 0 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
DMN6068SEQ-13 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

车规

¥1.375 

阶梯数 价格
40: ¥1.375
100: ¥1.1
1,000: ¥0.9845
2,000: ¥0.9284
4,000: ¥0.88
4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.606 

阶梯数 价格
40: ¥1.606
100: ¥1.232
1,000: ¥1.0307
1,216 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比
BSP295 H6327 Infineon  数据手册 小信号MOSFET

BSP295H6327XTSA1_60V 1.8A 220mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规

暂无价格 0 对比

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